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- 品番:
- IRF6620TR1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6620TR1 electronic components. IRF6620TR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6620TR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6620TR1 製品の属性
品番 :
IRF6620TR1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
27A (Ta), 150A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.7 mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.45V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4130pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric MX
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