Infineon Technologies - FZ800R12KS4B2NOSA1

KEY Part #: K6533482

FZ800R12KS4B2NOSA1 価格設定(USD) [85個在庫]

  • 1 pcs$419.92099

品番:
FZ800R12KS4B2NOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MODULE IGBT A-IHM130-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ800R12KS4B2NOSA1 製品の属性

品番 : FZ800R12KS4B2NOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MODULE IGBT A-IHM130-1
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 1200A
パワー-最大 : 7600W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.7V @ 15V, 800A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 52nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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