[1118個在庫]
- 品番:
- HIGFED1BOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MODULE IGBT HYBRID PK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies HIGFED1BOSA1 electronic components. HIGFED1BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HIGFED1BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HIGFED1BOSA1 製品の属性
品番 :
HIGFED1BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MODULE IGBT HYBRID PK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
構成 :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
-
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
パワー-最大 :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
-
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
-
入力容量（Cies）@ Vce :
-
入力 :
-
NTCサーミスタ :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
-
パッケージ/ケース :
-
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
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