Microsemi Corporation - APTGFQ25H120T2G

KEY Part #: K6533560

APTGFQ25H120T2G 価格設定(USD) [1573個在庫]

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品番:
APTGFQ25H120T2G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 40A 227W MODULE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGFQ25H120T2G 製品の属性

品番 : APTGFQ25H120T2G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 40A 227W MODULE
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : NPT and Fieldstop
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 40A
パワー-最大 : 227W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 25A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : 2.02nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : SP2
サプライヤーデバイスパッケージ : SP2

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