Infineon Technologies - IPN95R3K7P7ATMA1

KEY Part #: K6405222

IPN95R3K7P7ATMA1 価格設定(USD) [223232個在庫]

  • 1 pcs$0.16569

品番:
IPN95R3K7P7ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN95R3K7P7ATMA1 製品の属性

品番 : IPN95R3K7P7ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 950V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.7 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 196pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223
パッケージ/ケース : TO-261-3

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