BAS316,H3F 価格設定（USD） [3056256個在庫]
- 1 pcs$0.01210
- 品番:
- BAS316,H3F
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F electronic components. BAS316,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS316,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS316,H3F 製品の属性
品番 :
BAS316,H3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
250mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
3ns
電流-Vrでの逆漏れ :
200nA @ 80V
静電容量@ Vr、F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-76, SOD-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
USC
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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