WeEn Semiconductors - NXPSC08650BJ

KEY Part #: K6440481

詳細な説明:: DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in WeEn Semiconductors NXPSC08650BJ electronic components. NXPSC08650BJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NXPSC08650BJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : NXPSC08650BJ

メーカー : WeEn Semiconductors

説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK

シリーズ : -

部品ステータス : Discontinued at Digi-Key

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 650V

電流-平均整流（Io） : 8A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 8A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 230µA @ 650V

静電容量@ Vr、F : 260pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK

動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません

VS-80APS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
V20100S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
EGP20B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
1N4585GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15
GP15M-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM
1N5060GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated