Taiwan Semiconductor Corporation - ES3G M6G

KEY Part #: K6457606

ES3G M6G 価格設定(USD) [585789個在庫]

  • 1 pcs$0.06314

品番:
ES3G M6G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3G M6G 製品の属性

品番 : ES3G M6G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 30pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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