Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TB120PBF

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VS-HFA08TB120PBF 価格設定(USD) [15157個在庫]

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品番:
VS-HFA08TB120PBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TB120PBF 製品の属性

品番 : VS-HFA08TB120PBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
シリーズ : HEXFRED®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3.3V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 95ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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