Diodes Incorporated - ZXM64N035GTA

KEY Part #: K6413297

[13149個在庫]


    品番:
    ZXM64N035GTA
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXM64N035GTA electronic components. ZXM64N035GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXM64N035GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXM64N035GTA 製品の属性

    品番 : ZXM64N035GTA
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 35V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.8A (Ta), 6.7A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 3.7A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 950pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
    パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • IRFR3910CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • IRFR3303CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.