IXTP4N65X2 価格設定（USD） [60335個在庫]
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- 品番:
- IXTP4N65X2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTP4N65X2 electronic components. IXTP4N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP4N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP4N65X2 製品の属性
品番 :
IXTP4N65X2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
455pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
80W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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