RQ6C050UNTR 価格設定（USD） [615676個在庫]
- 1 pcs$0.06008
- 3,000 pcs$0.05384
- 品番:
- RQ6C050UNTR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 5A TSMT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ6C050UNTR electronic components. RQ6C050UNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ6C050UNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ6C050UNTR 製品の属性
品番 :
RQ6C050UNTR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
900pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.25W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT6 (SC-95)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR