Diodes Incorporated - DMN10H120SFG-13

KEY Part #: K6394605

DMN10H120SFG-13 価格設定(USD) [320618個在庫]

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品番:
DMN10H120SFG-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H120SFG-13 製品の属性

品番 : DMN10H120SFG-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 549pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN