IPT60R080G7XTMA1 価格設定（USD） [25134個在庫]
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- 品番:
- IPT60R080G7XTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1 electronic components. IPT60R080G7XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT60R080G7XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPT60R080G7XTMA1 製品の属性
品番 :
IPT60R080G7XTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
シリーズ :
CoolMOS™ G7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 490µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1640pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
167W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース :
8-PowerSFN
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