ESH1D-M3/5AT 価格設定（USD） [668009個在庫]
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- 品番:
- ESH1D-M3/5AT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,200V,25NS,UF RECT,SMD
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH1D-M3/5AT electronic components. ESH1D-M3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH1D-M3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH1D-M3/5AT 製品の属性
品番 :
ESH1D-M3/5AT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
25pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
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- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
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