Vishay Semiconductor Diodes Division - V2F6-M3/I

KEY Part #: K6433566

V2F6-M3/I 価格設定(USD) [991323個在庫]

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品番:
V2F6-M3/I
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
2A60VSMFTRENCH SKY RECT..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V2F6-M3/I 製品の属性

品番 : V2F6-M3/I
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : 2A60VSMFTRENCH SKY RECT.
シリーズ : eSMP®, TMBS®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 60V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 600mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 480µA @ 60V
静電容量@ Vr、F : 250pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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