Vishay Siliconix - SIUD412ED-T1-GE3

KEY Part #: K6421651

SIUD412ED-T1-GE3 価格設定(USD) [1252127個在庫]

  • 1 pcs$0.02954
  • 3,000 pcs$0.02842

品番:
SIUD412ED-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 electronic components. SIUD412ED-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIUD412ED-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD412ED-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIUD412ED-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 500mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.71nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 21pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.25W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 0806
パッケージ/ケース : PowerPAK® 0806

あなたも興味があるかもしれません