Vishay Semiconductor Diodes Division - UH6PD-M3H/I

KEY Part #: K6453971

[13394個在庫]


    品番:
    UH6PD-M3H/I
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 6A TO277A.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH6PD-M3H/I electronic components. UH6PD-M3H/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH6PD-M3H/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    UH6PD-M3H/I 製品の属性

    品番 : UH6PD-M3H/I
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 6A TO277A
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 6A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.05V @ 6A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 40ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : 80pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-277, 3-PowerDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-277A (SMPC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • GPP60G-01HE3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECTIFIER.

    • GPP60B-001HE3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECTIFIER.

    • UH1C-M3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1A SMA.

    • UH1C-M3/61T

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1A SMA.

    • UH1B-M3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1A SMA.

    • UH1B-M3/61T

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1A SMA.