RFN3BM2SFHTL 価格設定（USD） [194187個在庫]
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- 品番:
- RFN3BM2SFHTL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 3A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V Vrm 3A Io Recovery Diode
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN3BM2SFHTL electronic components. RFN3BM2SFHTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN3BM2SFHTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN3BM2SFHTL 製品の属性
品番 :
RFN3BM2SFHTL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
980mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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