Infineon Technologies - IRF6621TRPBF

KEY Part #: K6420421

IRF6621TRPBF 価格設定(USD) [193709個在庫]

  • 1 pcs$0.48070
  • 4,800 pcs$0.47831

品番:
IRF6621TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF6621TRPBF electronic components. IRF6621TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6621TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6621TRPBF 製品の属性

品番 : IRF6621TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Ta), 55A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.25V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.5nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1460pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ SQ
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric SQ

あなたも興味があるかもしれません