BYG10MHE3_A/H 価格設定（USD） [597046個在庫]
- 1 pcs$0.06195
- 品番:
- BYG10MHE3_A/H
- 詳細な説明:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10MHE3_A/H electronic components. BYG10MHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10MHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10MHE3_A/H 製品の属性
品番 :
BYG10MHE3_A/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Avalanche
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
1.5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 1.5A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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