Infineon Technologies - FD200R12KE3HOSA1

KEY Part #: K6534513

FD200R12KE3HOSA1 価格設定(USD) [992個在庫]

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品番:
FD200R12KE3HOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD200R12KE3HOSA1 製品の属性

品番 : FD200R12KE3HOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Single Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 1050W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 14nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module