FD200R12KE3HOSA1 価格設定（USD） [992個在庫]
- 1 pcs$46.80541
- 品番:
- FD200R12KE3HOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FD200R12KE3HOSA1 electronic components. FD200R12KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD200R12KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FD200R12KE3HOSA1 製品の属性
品番 :
FD200R12KE3HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Single Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
パワー-最大 :
1050W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
14nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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