NTD3055L170T4G 価格設定（USD） [367615個在庫]
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- 2,500 pcs$0.10062
- 品番:
- NTD3055L170T4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 9A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTD3055L170T4G electronic components. NTD3055L170T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD3055L170T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD3055L170T4G 製品の属性
品番 :
NTD3055L170T4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
170 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 5V
Vgs（最大） :
±15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
275pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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