[2145個在庫]
- 品番:
- RJK0603DPN-E0#T2
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK0603DPN-E0#T2 electronic components. RJK0603DPN-E0#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0603DPN-E0#T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK0603DPN-E0#T2 製品の属性
品番 :
RJK0603DPN-E0#T2
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
57nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4150pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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