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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 8TDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPC60N04S406ATMA1 electronic components. IPC60N04S406ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC60N04S406ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC60N04S406ATMA1 製品の属性
品番 :
IPC60N04S406ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 8TDSON
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 30µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2650pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
63W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8-23
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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