Taiwan Semiconductor Corporation - HS3BB M4G

KEY Part #: K6426286

HS3BB M4G 価格設定(USD) [739065個在庫]

  • 1 pcs$0.05005

品番:
HS3BB M4G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA. Rectifiers 50ns 3A 100V Hi Eff Recov Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS3BB M4G electronic components. HS3BB M4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS3BB M4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3BB M4G 製品の属性

品番 : HS3BB M4G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 80pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MUR160/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC.

  • GL41Y/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB.

  • DSS115UTR

    SMC Diode Solutions

    SCHOTTKY 150V SOD-123FL.

  • DSS13UTR

    SMC Diode Solutions

    SCHOTTKY 30V SOD-123FL.

  • S5JCTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 600V 5A SMC.

  • S3BTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 100V 3A SMC.