メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
1.2V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1600V
静電容量@ Vr、F :
8pF @ 4V, 1MHz
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C