Diodes Incorporated - DMN2005UFG-7

KEY Part #: K6395137

DMN2005UFG-7 価格設定(USD) [340920個在庫]

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品番:
DMN2005UFG-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2005UFG-7 製品の属性

品番 : DMN2005UFG-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18.1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 164nC @ 10V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6495pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.05W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN