ON Semiconductor - FDP16AN08A0

KEY Part #: K6418639

FDP16AN08A0 価格設定(USD) [71450個在庫]

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品番:
FDP16AN08A0
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP16AN08A0 製品の属性

品番 : FDP16AN08A0
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta), 58A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1857pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 135W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3