FDP16AN08A0 価格設定（USD） [71450個在庫]
- 1 pcs$0.54998
- 800 pcs$0.54725
- 品番:
- FDP16AN08A0
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDP16AN08A0 electronic components. FDP16AN08A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP16AN08A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDP16AN08A0 製品の属性
品番 :
FDP16AN08A0
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Ta), 58A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1857pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
135W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK7Y25-80E/CX
- JANSF2N7383
- IPS50R520CPAKMA1
- STL160NS3LLH7
- 5LP01M-TL-E
- UPA2739T1A-E2-AY
- PMT200EN,135
- ZXM62P03E6TC
- SUD45P03-10-E3
- TK4A55DA(STA4,Q,M)
- BSS315PL6327HTSA1
- NTMFS4941NT3G
- SPP15N60CFDHKSA1
- IPP80N04S204AKSA1
- NTLJD3182FZTBG
- SI1046X-T1-GE3
- FQA10N80_F109
- IRFU3709Z-701P
- NTB75N03L09G
- FDP16N50
- IXFC16N50P
- HUFA75343G3
- FQD3N60TF
- VN2410LG
- IPD110N12N3GBUMA1
- FDZ209N
- IRF7604TR
- IRF9530S
- IRFD9120
- BUK652R0-30C,127
- STP5NK60ZFP
- IPI110N20N3GAKSA1
- IXTY2N100P
- IXTP3N50P
- SUD23N06-31-T4-GE3
- SQJA06EP-T1_GE3
- BUK9Y72-80E,115
- R6002ENDTL
- IPU50R1K4CEAKMA1
- BSD314SPEH6327XTSA1