NVC3S5A51PLZT1G 価格設定（USD） [371572個在庫]
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- 品番:
- NVC3S5A51PLZT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVC3S5A51PLZT1G electronic components. NVC3S5A51PLZT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVC3S5A51PLZT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVC3S5A51PLZT1G 製品の属性
品番 :
NVC3S5A51PLZT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.6V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
262pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-CPH
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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