[4680個在庫]
- 品番:
- SI9936DY,518
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. SI9936DY,518 electronic components. SI9936DY,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9936DY,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI9936DY,518 製品の属性
品番 :
SI9936DY,518
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
900mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO6604L_001
- SP8M3FU6TB
- AO4614BL_DELTA
- BTS7904SAKSA1
- AOD607_DELTA
- NTQD6968N
- IRF7303PBF
- AO8822#A
- AO4801AL_001
- AO4614BL_103
- EPC2100ENG
- AUIRF7319Q
- SI7980DP-T1-E3
- SI7909DN-T1-GE3
- SI7904DN-T1-E3
- SI4567DY-T1-GE3
- IRF6702M2DTR1PBF
- SI1539DL-T1-GE3
- BSL314PEL6327HTSA1
- SP8K5FU6TB
- DMN2040LSD-13
- SI1016X-T1-E3
- VMM1000-01P
- ZXMN6A09DN8TC
- FDS6892AZ
- FDS3912
- IRF7307PBF
- IRF7105PBF
- NTMD6N02R2
- TPC8208(TE12L,Q)
- PMDPB65UP,115
- SP8M10TB
- 2N7002VA-7
- IRF9395MTRPBF
- IPG20N04S408AATMA1
- IPG16N10S4L61AATMA1
- BSC0925NDATMA1
- IRFHS9351TRPBF
- PMDPB58UPE,115
- SSM6N36FE,LM