FD800R17HP4KB2BOSA2 価格設定（USD） [93個在庫]
- 1 pcs$383.06085
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1700V 800A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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FD800R17HP4KB2BOSA2 製品の属性
品番 :
FD800R17HP4KB2BOSA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Single Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1700V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
800A
パワー-最大 :
5200W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.25V @ 15V, 800A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
65nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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