ON Semiconductor - FCP170N60

KEY Part #: K6417700

FCP170N60 価格設定(USD) [38582個在庫]

  • 1 pcs$1.01848
  • 800 pcs$1.01341

品番:
FCP170N60
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCP170N60 electronic components. FCP170N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP170N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP170N60 製品の属性

品番 : FCP170N60
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 22A TO220
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2860pF @ 380V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 227W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません