Vishay Siliconix - SIR800ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6396531

SIR800ADP-T1-GE3 価格設定(USD) [118007個在庫]

  • 1 pcs$0.31343

品番:
SIR800ADP-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR800ADP-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIR800ADP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50.2A (Ta), 177A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.35 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs(最大) : +12V, -8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3415pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

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