VS-HFA06TB120SR-M3 価格設定（USD） [100888個在庫]
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- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 6A IF TO-220AC 80A IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA06TB120SR-M3 electronic components. VS-HFA06TB120SR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA06TB120SR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA06TB120SR-M3 製品の属性
品番 :
VS-HFA06TB120SR-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
シリーズ :
HEXFRED®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
6A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.9V @ 12A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
80ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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