GeneSiC Semiconductor - FR12JR02

KEY Part #: K6425306

FR12JR02 価格設定(USD) [10564個在庫]

  • 1 pcs$3.90108
  • 200 pcs$2.37771

品番:
FR12JR02
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers 600V 12A REV Leads Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor FR12JR02 electronic components. FR12JR02 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FR12JR02, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FR12JR02 製品の属性

品番 : FR12JR02
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 12A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 250ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C
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