NSBA114TDP6T5G 価格設定（USD） [957720個在庫]
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- 品番:
- NSBA114TDP6T5G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSBA114TDP6T5G electronic components. NSBA114TDP6T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSBA114TDP6T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSBA114TDP6T5G 製品の属性
品番 :
NSBA114TDP6T5G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
-
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
160 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 1mA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
408mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-963
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-963
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