Infineon Technologies - BCR129E6327HTSA1

KEY Part #: K6528768

BCR129E6327HTSA1 価格設定(USD) [3612259個在庫]

  • 1 pcs$0.01415
  • 3,000 pcs$0.01408

品番:
BCR129E6327HTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BCR129E6327HTSA1 electronic components. BCR129E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR129E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR129E6327HTSA1 製品の属性

品番 : BCR129E6327HTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 150MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません