Vishay Semiconductor Diodes Division - GP30DHE3/54

KEY Part #: K6447360

[1451個在庫]


    品番:
    GP30DHE3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP30DHE3/54 electronic components. GP30DHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP30DHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP30DHE3/54 製品の属性

    品番 : GP30DHE3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 5µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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