Vishay Semiconductor Diodes Division - GPP60DHE3/54

KEY Part #: K6447325

GPP60DHE3/54 価格設定(USD) [1462個在庫]

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品番:
GPP60DHE3/54
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GPP60DHE3/54 製品の属性

品番 : GPP60DHE3/54
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 6A P600
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 6A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 6A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 5.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : P600, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : P600
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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