Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT1080S-M3/4W

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VBT1080S-M3/4W 価格設定(USD) [177049個在庫]

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品番:
VBT1080S-M3/4W
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,80V,TRENCH SKY RECT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT1080S-M3/4W 製品の属性

品番 : VBT1080S-M3/4W
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 810mV @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 600µA @ 80V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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