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- 品番:
- JANTX2N6798
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX2N6798 electronic components. JANTX2N6798 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX2N6798, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX2N6798 製品の属性
品番 :
JANTX2N6798
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/557
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
420 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42.07nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
800mW (Ta), 25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-205AF (TO-39)
パッケージ/ケース :
TO-205AF Metal Can
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