Infineon Technologies - IPB014N06NATMA1

KEY Part #: K6417877

IPB014N06NATMA1 価格設定(USD) [44528個在庫]

  • 1 pcs$0.87811
  • 1,000 pcs$0.76711

品番:
IPB014N06NATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB014N06NATMA1 electronic components. IPB014N06NATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB014N06NATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB014N06NATMA1 製品の属性

品番 : IPB014N06NATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 34A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.8V @ 143µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7800pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 214W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-7
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

あなたも興味があるかもしれません
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.