Infineon Technologies - BSM50GD170DLBOSA1

KEY Part #: K6534227

BSM50GD170DLBOSA1 価格設定(USD) [536個在庫]

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品番:
BSM50GD170DLBOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD170DLBOSA1 製品の属性

品番 : BSM50GD170DLBOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
パワー-最大 : 480W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.3V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100µA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module