[509個在庫]
- 品番:
- 1N4006GP
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 1N4006GP electronic components. 1N4006GP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006GP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4006GP 製品の属性
品番 :
1N4006GP
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-41
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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