[509個在庫]
- 品番:
- 1N4006GP
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 1N4006GP electronic components. 1N4006GP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006GP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4006GP 製品の属性
品番 :
1N4006GP
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-41
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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