Vishay Semiconductor Diodes Division - BYD13MGP-E3/54

KEY Part #: K6447704

[1333個在庫]


    品番:
    BYD13MGP-E3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYD13MGP-E3/54 electronic components. BYD13MGP-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYD13MGP-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYD13MGP-E3/54 製品の属性

    品番 : BYD13MGP-E3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 3µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : 8pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AL (DO-41)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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