Diodes Incorporated - ZXMP6A17N8TC

KEY Part #: K6403543

ZXMP6A17N8TC 価格設定(USD) [236821個在庫]

  • 1 pcs$0.15618
  • 2,500 pcs$0.13878

品番:
ZXMP6A17N8TC
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMP6A17N8TC electronic components. ZXMP6A17N8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMP6A17N8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMP6A17N8TC 製品の属性

品番 : ZXMP6A17N8TC
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 637pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.56W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません
  • FQD18N20V2TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 15A DPAK.

  • FDD86567-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK.

  • MTD3055VL

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.

  • FDD8896-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • FQD4N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK.

  • FDD6690A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 12A DPAK.