Central Semiconductor Corp - 1N4150 TR

KEY Part #: K6454435

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Central Semiconductor Corp 1N4150 TR electronic components. 1N4150 TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150 TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : 1N4150 TR

メーカー : Central Semiconductor Corp

説明 : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V

電流-平均整流（Io） : 200mA

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 200mA

速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

逆回復時間（trr） : 6ns

電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V

静電容量@ Vr、F : 2.5pF @ 0V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

あなたも興味があるかもしれません

SBRD10200TR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK.
BYM11-400-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
BYM10-200-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
VSKY20301608-G4-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 2A 0603. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 375pF 500mV at 2.0A
BAV21WS-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
SD103AWS-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO