BAV21WS-HE3-18 価格設定（USD） [2097832個在庫]
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- 品番:
- BAV21WS-HE3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21WS-HE3-18 electronic components. BAV21WS-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21WS-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21WS-HE3-18 製品の属性
品番 :
BAV21WS-HE3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
250mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-76, SOD-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-323
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
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