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- 品番:
- GP1M008A080FH
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M008A080FH electronic components. GP1M008A080FH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M008A080FH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M008A080FH 製品の属性
品番 :
GP1M008A080FH
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1921pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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